IXSP24N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSP24N60B概述

IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds

IGBT PT 600V 48A 150W Through Hole TO-220-3

得捷:
IGBT 600V 48A 150W TO220AB

贸泽:
IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-220

IXSP24N60B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSP24N60B

型号： IXSP24N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds