IXGR32N60CD1

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IXGR32N60CD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 通孔 ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 45A 140W ISOPLUS247


贸泽:
IGBT Transistors DISCRETE IGBT 600V 45 AMP


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXGR32N60CD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 140 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR32N60CD1
型号: IXGR32N60CD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
替代型号IXGR32N60CD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGR32N60CD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXDR30N120D1

IXYS Semiconductor

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