IXGR35N120C

IXGR35N120C图片1
IXGR35N120C概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 1200 V 70 A 200 W 通孔 ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXGR35N120C中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR35N120C
型号: IXGR35N120C
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

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