IXGP30N60B4D1

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IXGP30N60B4D1概述

IGBT 600V 56A 190W TO220

IGBT PT 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 56A 190W TO220


IXGP30N60B4D1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP30N60B4D1
型号: IXGP30N60B4D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 600V 56A 190W TO220

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