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IXGT20N60BD1概述

IGBT 600V 40A 150W TO268

IGBT - 600 V 40 A 150 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 600V 40A 150W TO268

IXGT20N60BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT20N60BD1

型号： IXGT20N60BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 40A 150W TO268

替代型号IXGT20N60BD1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXGT20N60BD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGT30N120B3D1

IXYS Semiconductor

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