IXSH24N60AU1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSH24N60AU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 600 V 48 A 150 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 48A 150W TO247

贸泽:
IGBT Transistors 48 Amps 600V 2.7 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-247AD

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 48A; 150W; TO247AD

Win Source:
IGBT 600V 48A 150W TO247

IXSH24N60AU1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 150 W

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH24N60AU1

型号： IXSH24N60AU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXSH24N60AU1