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IXGP15N120C概述

IGBT 1200V 30A 200W TO220AB

IGBT 1200V 30A 200W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 1200V 30A 200W TO220AB

IXGP15N120C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP15N120C

型号： IXGP15N120C

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1200V 30A 200W TO220AB