IXGH35N120C参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGH35N120C概述

IGBT 1200V 70A 300W TO247AD

IGBT 1200V 70A 300W Through Hole TO-247AD IXGH

得捷:
IGBT 1200V 70A 300W TO247AD

Win Source:
IGBT 1200V 70A 300W TO247AD

IXGH35N120C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH35N120C

型号： IXGH35N120C

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1200V 70A 300W TO247AD

替代型号IXGH35N120C

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXGH35N120C IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IGW60T120 英飞凌	功能相似	IXGH35N120C和IGW60T120的区别
IGW40T120 英飞凌	功能相似	IXGH35N120C和IGW40T120的区别
HGTG20N60A4 安森美	功能相似	IXGH35N120C和HGTG20N60A4的区别