IXGH38N60U1

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IXGH38N60U1概述

IGBT 600V 76A 200W TO247AD

IGBT - 600 V 76 A 200 W 通孔 TO-247AD(IXGH)


得捷:
IGBT 600V 76A 200W TO247AD


Win Source:
Ultra-Low VCEsat IGBT with Diode | IGBT 600V 76A 200W TO247AD


IXGH38N60U1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH38N60U1
型号: IXGH38N60U1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 600V 76A 200W TO247AD
替代型号IXGH38N60U1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGH38N60U1

IXYS Semiconductor

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