IXGQ50N60B4D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGQ50N60B4D1概述

IGBT 600V 100A 300W TO3P

IGBT PT 600 V 100 A 300 W 通孔 TO-3P

得捷:
IGBT 600V 100A 300W TO3P

贸泽:
IGBT Transistors PT Trench IGBTs Power Device

IXGQ50N60B4D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGQ50N60B4D1

型号： IXGQ50N60B4D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 100A 300W TO3P