IRG4BC20SD-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BC20SD-S概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

IGBT - 600 V 19 A 60 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 600V 19A 60W D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin 2+Tab D2PAK

IRG4BC20SD-S中文资料参数规格

技术参数

额定功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 37 ns

额定功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4BC20SD-S

型号： IRG4BC20SD-S

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

替代型号IRG4BC20SD-S

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4BC20SD-S

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4BC20SD-SPBF

英飞凌

完全替代

IKP10N60T

英飞凌

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