IXGR39N60BD1

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IXGR39N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 通孔 ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 66A 140W ISOPLUS247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXGR39N60BD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 140 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR39N60BD1
型号: IXGR39N60BD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
替代型号IXGR39N60BD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGR39N60BD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGR72N60B3H1

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