IXGQ50N60C4D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXGQ50N60C4D1图片1

IXGQ50N60C4D1概述

IGBT 600V 90A 300W TO3P

IGBT PT 通孔 TO-3P

得捷:
IGBT 600V 90A 300W TO3P

Win Source:
IGBT 600V 90A 300W TO3P

IXGQ50N60C4D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGQ50N60C4D1

型号： IXGQ50N60C4D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 90A 300W TO3P