IRG4BC30K-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BC30K-S概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3Pin 2+Tab D2PAK

IGBT - 600 V 28 A 100 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 600V 28A 100W D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin 2+Tab D2PAK

Win Source:
IGBT 600V 28A 100W D2PAK

IRG4BC30K-S中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRG4BC30K-S

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3Pin 2+Tab D2PAK