IXGR40N60C参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR40N60C概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.5 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR40N60C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR40N60C

型号： IXGR40N60C

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247