IXGH39N60BD1

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IXGH39N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT 600V 76A 200W Through Hole TO-247AD IXGH


得捷:
IGBT 600V 76A 200W TO247AD


贸泽:
IGBT Transistors 76 Amps 600V 1.8 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3-Pin3+Tab TO-247AD


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 76A; 200W; TO247AD


Win Source:
IGBT 600V 76A 200W TO247AD


IXGH39N60BD1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH39N60BD1
型号: IXGH39N60BD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXGH39N60BD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGH39N60BD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGH48N60B3D1

IXYS Semiconductor

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