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IXSH24N60U1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin

IGBT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 600V 48A 150W TO247

Win Source:
IGBT 600V 48A 150W TO247

IXSH24N60U1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 150 W

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH24N60U1

型号： IXSH24N60U1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin

替代型号IXSH24N60U1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXSH24N60U1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXH30N60B3D1

IXYS Semiconductor

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