IXSH25N120AU1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXSH25N120AU1概述

IGBT 1200V 50A 200W TO247

IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 1200V 50A 200W TO247

Win Source:
IGBT 1200V 50A 200W TO247

IXSH25N120AU1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 200 W

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH25N120AU1

型号： IXSH25N120AU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247