Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin2+Tab TO-268AA
IGBT - 600 V 60 A 200 W 表面贴装型 TO-268
得捷: IGBT 600V 60A 200W TO268
贸泽: IGBT Transistors 60 Amps 600V 1.8 Rds
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab TO-268AA
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册