IRG4BC10SD

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IRG4BC10SD概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin3+Tab TO-220AB

IGBT - 600 V 14 A 38 W 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 14A 38W TO220AB


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin 3+Tab TO-220AB


Win Source:
IGBT 600V 14A 38W TO220AB


IRG4BC10SD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 14.0 A

上升时间 32.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 28 ns

额定功率Max 38 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: IRG4BC10SD
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin3+Tab TO-220AB

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