IRG4BH20K-L参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BH20K-L概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 11A 3Pin 3+Tab TO-262

IGBT - 1200 V 11 A 60 W 通孔 TO-262

得捷:
IGBT 1200V 11A 60W TO262

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 11A 3-Pin 3+Tab TO-262

IRG4BH20K-L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 11.0 A

额定功率 60 W

产品系列 IRG4BH20K-L

上升时间 26.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4BH20K-L

型号： IRG4BH20K-L

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 11A 3Pin 3+Tab TO-262

替代型号IRG4BH20K-L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4BH20K-L Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4BH20K-LPBF 英飞凌	完全替代	IRG4BH20K-L和IRG4BH20K-LPBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4BH20K-L

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4BH20K-LPBF

英飞凌

完全替代