IXGR50N60A2U1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGR50N60A2U1概述

IGBT 晶体管 50 Amps 600V

IGBT PT 600 V 75 A 200 W 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

贸泽:
IGBT 晶体管 50 Amps 600V

IXGR50N60A2U1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR50N60A2U1

型号： IXGR50N60A2U1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 50 Amps 600V

替代型号IXGR50N60A2U1

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代替类型

替代型号对比

IXGR50N60A2U1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGR72N60A3H1

IXYS Semiconductor

完全替代

IXGR50N60A2U1和IXGR72N60A3H1的区别