IRG4BH20K-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BH20K-S概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 11A 3Pin 2+Tab D2PAK

IGBT - 1200 V 11 A 60 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 11A 3-Pin 2+Tab D2PAK

IRG4BH20K-S中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 11.0 A

额定功率 60 W

产品系列 IRG4BH20K-S

上升时间 26.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4BH20K-S

型号： IRG4BH20K-S

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 11A 3Pin 2+Tab D2PAK

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替代型号IRG4BH20K-S

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