IXGT32N60BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGT32N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin2+Tab TO-268

IGBT - 600 V 60 A 200 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 600V 60A 200W TO268

贸泽:
IGBT Transistors 60 Amps 600V 2.3 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab TO-268

IXGT32N60BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT32N60BD1

型号： IXGT32N60BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin2+Tab TO-268