IRG4IBC30FD

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IRG4IBC30FD概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20.3A 3Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak

IGBT - 600 V 20.3 A 45 W 通孔 TO-220AB 整包


得捷:
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20.3A 45000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20.3A 3-Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak


IRG4IBC30FD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.3 A

上升时间 26.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 42 ns

额定功率Max 45 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4IBC30FD
型号: IRG4IBC30FD
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20.3A 3Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak

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