IXGH30N60B4

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IXGH30N60B4概述

IGBT 600V 66A 190W TO247

IGBT PT 通孔 TO-247AD(IXGH)


得捷:
IGBT 600V 66A 190W TO247


贸泽:
IGBT Modules High-Gain IGBT


Win Source:
IGBT 600V 66A 190W TO247


IXGH30N60B4中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH30N60B4
型号: IXGH30N60B4
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 600V 66A 190W TO247
替代型号IXGH30N60B4
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