IRG4PH30KD参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4PH30KD概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin 3+Tab TO-247AC

IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC

得捷:
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 20A 3-Pin 3+Tab TO-247AC

IRG4PH30KD中文资料参数规格

技术参数

额定功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4PH30KD

型号： IRG4PH30KD

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin 3+Tab TO-247AC

替代型号IRG4PH30KD

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4PH30KD Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4PH30KDPBF 英飞凌	完全替代	IRG4PH30KD和IRG4PH30KDPBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4PH30KD

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4PH30KDPBF

英飞凌

完全替代