IXGX35N120CD1

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IXGX35N120CD1概述

IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

IGBT - 1200 V 70 A 350 W 通孔 PLUS247™-3


得捷:
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247


IXGX35N120CD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 350 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGX35N120CD1
型号: IXGX35N120CD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

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