IXSK50N60BU1

IXSK50N60BU1图片1
IXSK50N60BU1图片2
IXSK50N60BU1图片3
IXSK50N60BU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264AAIXSK


得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO264


贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.5 V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-264AA


IXSK50N60BU1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSK50N60BU1
型号: IXSK50N60BU1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA
替代型号IXSK50N60BU1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXSK50N60BU1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXK100N60B3H1

IXYS Semiconductor

类似代替

IXSK50N60BU1和IXXK100N60B3H1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台