IRG4BC20FD-S参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRG4BC20FD-S图片1

IRG4BC20FD-S概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK

IGBT - 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 600V 16A 60W D2PAK

Win Source:
IGBT 600V 16A 60W D2PAK

IRG4BC20FD-S中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 37 ns

额定功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4BC20FD-S

型号： IRG4BC20FD-S

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK