IXSH35N120A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSH35N120A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT 1200V 70A 300W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 1200V 70A 300W TO247

贸泽:
IGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

TME:
Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 300W; TO247AD

Win Source:
IGBT 1200V 70A 300W TO247

IXSH35N120A中文资料参数规格

技术参数

额定功率 300 W

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH35N120A

型号： IXSH35N120A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD