IRG4BC30FD-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BC30FD-S概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 2+Tab D2PAK

IGBT - 600 V 31 A 100 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 600V 31A 100W D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin 2+Tab D2PAK

IRG4BC30FD-S中文资料参数规格

技术参数

额定功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 42 ns

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4BC30FD-S

型号： IRG4BC30FD-S

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 2+Tab D2PAK

替代型号IRG4BC30FD-S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4BC30FD-S Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4BC30FD-SPBF 英飞凌	完全替代	IRG4BC30FD-S和IRG4BC30FD-SPBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4BC30FD-S

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4BC30FD-SPBF

英飞凌

完全替代