IRG4RC10UD参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4RC10UD概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3Pin 2+Tab DPAK

IGBT - 600 V 8.5 A 38 W 表面贴装型 D-Pak

得捷:
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin 2+Tab DPAK

IRG4RC10UD中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 8.50 A

额定功率 38 W

产品系列 IRG4RC10UD

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 28 ns

额定功率Max 38 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRG4RC10UD

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3Pin 2+Tab DPAK

替代型号IRG4RC10UD