IRG4BC30FD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BC30FD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 3+Tab TO-220AB

IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 600V 31A 100W TO220AB

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin 3+Tab TO-220AB

IRG4BC30FD1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 46 ns

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4BC30FD1

型号： IRG4BC30FD1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 3+Tab TO-220AB

替代型号IRG4BC30FD1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4BC30FD1 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4BC30FD1PBF 英飞凌	完全替代	IRG4BC30FD1和IRG4BC30FD1PBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4BC30FD1

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4BC30FD1PBF

英飞凌

完全替代