IRG4PC40KDE206P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4PC40KDE206P概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160000mW 3Pin3+Tab TO-247AC T/R

IGBT - 600 V 42 A 160 W 通孔 TO-247AC

得捷:
IGBT 600V 42A 160W TO247AC

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3-Pin3+Tab TO-247AC T/R

IRG4PC40KDE206P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 160000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 42 ns

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRG4PC40KDE206P

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160000mW 3Pin3+Tab TO-247AC T/R