IRG4IBC30S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4IBC30S概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pak

IGBT - 600 V 23.5 A 45 W 通孔 TO-220AB 整包

得捷:
IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3-Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak

IRG4IBC30S中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 23.5 A

额定功率 45 W

产品系列 IRG4IBC30S

上升时间 18.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRG4IBC30S

型号： IRG4IBC30S

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pak

替代型号IRG4IBC30S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4IBC30S Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4IBC30SPBF 英飞凌	类似代替	IRG4IBC30S和IRG4IBC30SPBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4IBC30S

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4IBC30SPBF

英飞凌

类似代替