IRG4BC20SDPBF概述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube
IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
得捷:
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
IRG4BC20SDPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 60 W
耗散功率 60000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 60 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRG4BC20SDPBF
型号： IRG4BC20SDPBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube