IRG4RC10UPBF

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IRG4RC10UPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK

IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak


得捷:
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK


贸泽:
IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin2+Tab DPAK


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK


Win Source:
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK


IRG4RC10UPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 38 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 38 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4RC10UPBF
型号: IRG4RC10UPBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK
替代型号IRG4RC10UPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRG4RC10UPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

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IRG4RC10UTRPBF

英飞凌

完全替代

IRG4RC10UPBF和IRG4RC10UTRPBF的区别

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