IRG4BC30S-SPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BC30S-SPBF概述

IGBT 晶体管 600V DC-1kHz

IGBT - 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 600V 34A 100W D2PAK

贸泽:
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3-Pin2+Tab D2PAK

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin2+Tab D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT

IRG4BC30S-SPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4BC30S-SPBF

型号： IRG4BC30S-SPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：IGBT 晶体管 600V DC-1kHz

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替代型号IRG4BC30S-SPBF

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