IRGI4045DPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRGI4045DPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 33000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

IGBT Trench 600V 11A 33W Through Hole TO-220AB Full-Pak

得捷:
IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 33000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

Win Source:
IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP

IRGI4045DPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 33000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 73 ns

额定功率Max 33 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRGI4045DPBF

型号： IRGI4045DPBF

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 33000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak