Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube
IGBT 600V 19A 60W Surface Mount D2PAK
得捷:
IGBT 600V 19A 60W D2PAK
贸泽:
IGBT Transistors 600V DC-1kHz
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin2+Tab D2PAK
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 19A; 60W; D2PAK
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Win Source:
IGBT 600V 19A 60W D2PAK
额定功率 60 W
耗散功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 60 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRG4BC20SD-SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRG4BC20SD-S 英飞凌 | 完全替代 | IRG4BC20SD-SPBF和IRG4BC20SD-S的区别 |
IKP10N60T 英飞凌 | 功能相似 | IRG4BC20SD-SPBF和IKP10N60T的区别 |