IRGIB6B60KD116P

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IRGIB6B60KD116P概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pack

IGBT NPT 600V 11A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak


得捷:
IGBT 600V 11A 38W TO220FP


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 38000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack


Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IGBT 600V 11A 38W TO220FP


IRGIB6B60KD116P中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 70 ns

额定功率Max 38 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRGIB6B60KD116P
型号: IRGIB6B60KD116P
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pack
替代型号IRGIB6B60KD116P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRGIB6B60KD116P

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IRGIB6B60KDPBF

英飞凌

完全替代

IRGIB6B60KD116P和IRGIB6B60KDPBF的区别

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