IRG4PF50WD-201P

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IRG4PF50WD-201P概述

Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin3+Tab TO-247AC

IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC


得捷:
IGBT 900V 51A 200W TO247AC


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3-Pin3+Tab TO-247AC


IRG4PF50WD-201P中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 900 V

反向恢复时间 90 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4PF50WD-201P
型号: IRG4PF50WD-201P
描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin3+Tab TO-247AC
替代型号IRG4PF50WD-201P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRG4PF50WD-201P

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IXGH28N90B

IXYS Semiconductor

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