IRG4RC10KPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4RC10KPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK

IGBT - 表面贴装型 D-Pak

得捷:
IGBT 600V 9A 38W DPAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin2+Tab DPAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab DPAK

IRG4RC10KPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 38000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 38 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRG4RC10KPBF

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK