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IRG6S320UPBF概述

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

IGBT Trench 330V 50A 114W Surface Mount D2PAK

得捷:
IGBT 330V 50A 114W D2PAK

贸泽:
IGBT Transistors 330V 50A D2PAK

Win Source:
PDP TRENCH IGBT

IRG6S320UPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 114 W

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 114 W

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG6S320UPBF

型号： IRG6S320UPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：IGBT 330V 50A 114W D2PAK