IRG6S320UTRRPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG6S320UTRRPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 330V 50A 114000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT Trench 330V 50A 114W Surface Mount D2PAK

得捷:
IGBT 330V 50A 114W D2PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 50A 114000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IRG6S320UTRRPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 114000 mW

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 114 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 114000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRG6S320UTRRPBF

描述：Trans IGBT Chip N-CH 330V 50A 114000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R