IXSN55N120A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSN55N120A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 110A 4Pin SOT-227B

IGBT Module Single 1200V 110A 500W Chassis Mount SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 110A 4-Pin SOT-227B

IXSN55N120A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 8nF @25V

额定功率Max 500 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN55N120A

型号： IXSN55N120A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 110A 4Pin SOT-227B