IXSN80N60BD1

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IXSN80N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 420000mW 4Pin SOT-227B

IGBT Module Single 600V 160A 420W Chassis Mount SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 420000mW 4-Pin SOT-227B


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4-Pin SOT-227B


IXSN80N60BD1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 420000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 6.6nF @25V

额定功率Max 420 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 420000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN80N60BD1
型号: IXSN80N60BD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 420000mW 4Pin SOT-227B
替代型号IXSN80N60BD1
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