IRG4RC10KDPBF

IRG4RC10KDPBF图片1
IRG4RC10KDPBF图片2
IRG4RC10KDPBF图片3
IRG4RC10KDPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK

IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak


得捷:
IGBT 600V 9A 38W DPAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin2+Tab DPAK


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin2+Tab DPAK


IRG4RC10KDPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 38 W

耗散功率 38000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 28 ns

额定功率Max 38 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4RC10KDPBF
型号: IRG4RC10KDPBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK
替代型号IRG4RC10KDPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRG4RC10KDPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IRG4RC10KDTRPBF

英飞凌

完全替代

IRG4RC10KDPBF和IRG4RC10KDTRPBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台