IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
单 IGBT 高达 20A,
优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
得捷:
IGBT 600V 22A 66W DPAK
欧时:
Infineon IGBT, 4425172, 3引脚, DPAK TO-252封装, Vce=600 V, 22 A, ±20V
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin2+Tab DPAK
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 22A; 66W; DPAK
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Win Source:
IGBT 600V 22A 66W DPAK
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRG4RC20FPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRG4RC20FTRPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRG4RC20FPBF和IRG4RC20FTRPBF的区别 |
IRG4RC20FTRLPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRG4RC20FPBF和IRG4RC20FTRLPBF的区别 |
IRG4RC20F 英飞凌 | 完全替代 | IRG4RC20FPBF和IRG4RC20F的区别 |